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水热生长直立均匀Z n O纳米棒阵列的影响因素
刘丹青, 刘绍琴, 姜兆华, 杨 彬
石油化工高等学校学报
2015, 28 (3):
32-36.
DOI: 10.3969/j.issn.1006-396X.2015.03.007
采用水热合成方法制备了Z n O纳米棒阵列, 并对水热过程中Z n O纳米棒阵列形貌的影响因素进行 了考察, 发现高浓度的前驱液和籽晶层辅助生长都有利于得到直立均匀的Z n O纳米棒阵列。如果不更换反应前驱 液, 即使延长反应时间, Z n O纳米棒阵列的长度也没有明显的增长。每隔2. 5h更换新鲜的反应前驱液, Z n O纳米棒 阵列的长度会随着反应时间增加而相应的增长。
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